Samsung Electronics om LLWD DRAM-producten te ontwikkelen voor Apple's Next-Gen XR-apparaten

Er is gemeld dat Samsung Electronics volledig toegewijd is aan het ontwikkelen van LLWD (Low Latency Wide IO) DRAM-producten, specifiek voor de aankomende XR-apparaten van Apple.

Als een revolutionaire high-performance geheugenoplossing heeft LLWD DRAM een rijk I/O-pin-ontwerp dat een ongekende hoge bandbreedte, ultra-lage latentie en energie-efficiëntie bereikt.Dit positioneert het voor uitgebreide toekomstige toepassingen in Edge AI, die mogelijk bestaande LPDDR -technologie vervangen.

De huidige Apple Vision Pro -headset bevat de R1 -chip, die uitsluitend wordt geleverd met LLWD DRAM door SK Hynix.Dit geheugen biedt een bandbreedte van 256 GB/s en heeft een capaciteit van 1 GB samen met acht keer het aantal I/O -pincode van het traditionele geheugen, met het aanzienlijke voordeel in gegevensoverdrachtssnelheden.Ter vergelijking, hoewel LPDDR5 een 64-bit breedte heeft, bereikt het LLWD-dram van SK Hynix een breedte van 512 bits.

Rapporten geven aan dat Samsung Electronics actief betrokken is bij LLWD DRAM Technology Research and Development, die al in de kleinschalige productiefase zijn gekomen.Hun doel is om het marktaandeel vast te leggen van SK Hynix in deze opkomende sector.

Wat betreft de nieuwste updates over Apple Vision Pro, suggereren marktgeruchten dat het product van de tweede generatie tussen $ 1500 en $ 2.500 geprijsd zal zijn.Als de geruchten van de "halve prijs" waar zijn, kunnen consumenten dit geavanceerde product misschien verwerven voor ongeveer $ 1.750, een aanzienlijke verlaging van de $ 3.500 prijs van de eerste generatie Pro, waardoor het concurrentievermogen van de markt aanzienlijk wordt verbeterd.