Infineon Technologies presenteert nieuwe generaties power IC's en vermogenshalfgeleiders voor meer e

München / Neurenberg, Duitsland ?? 20 mei 2003 ?? Op de PCIM 2003-show (Neurenberg, 20-22 mei 2003) toont Infineon Technologies (FSE, NYSE: IFX) zijn nieuwe familie van geschakelde stroomtoevoerstroom-IC's, hoogspanningsvoeding-MOSFET's en IGBT's (geïsoleerde poortbipolaire transistoren ), die de ontwikkeling van kosteneffectieve en uiterst efficiënte voedingen mogelijk maken. Dankzij hun lage stroomverbruik, hoge efficiëntie en uitgebreide functies zijn deze halfgeleiders voorbestemd voor gebruik in de modernste, geavanceerde ontwerpen van stroomvoorzieningen.

State-of-the-art toepassingen voor stroomtoevoer worden gekenmerkt door criteria als verder verlaagd energieverbruik en hoger rendement voor minder warmte en een laag energieverbruik en langere levensduur van de batterij. Tegelijkertijd wordt verwacht dat de apparaten steeds kleiner worden. Om deze reden zijn compacte, betrouwbare vermogenscomponenten met een hoge vermogensdichtheid vereist. Door de introductie van de nieuwe 500V CoolMOS, F3 geschakelde stroomvoorziening IC en HighSpeed2 IGBT families, maakt Infineon miniaturisatie, hogere dichtheid en efficiënte voedingen mogelijk.

Infineon heeft zijn industriestandaard-setting CoolMOS uitgebreid ?? familie met nieuwe 500V-versies, die in vergelijking met conventionele 500V-stroom-MOSFET's aanzienlijk betere prestaties bieden in dezelfde verpakking. Verder lanceert Infineon ook de derde generatie (F3) van zijn vaste frequentiewitch-modus voedingstuurprogramma IC's met extreem laag vermogen-standby voor innovatieve voedingsontwerpen met schakelaarmodus. Ruimte en kostenbesparingen komen ook in de vorm van de nieuwe HighSpeed2 IGBT-familie, die de voordelen van conventionele IGBT's en MOSFET's combineert.

?? Een nieuw concept voor intelligent energiebeheer op alle gebieden van het leven en de industrie is een van de mondiale uitdagingen van deze eeuw. Aan vermogenselektronica wordt in dit opzicht een sleutelrol toegekend, ?? zei Dr. Reinhard Ploss, hoofd van de businessgroep Automotive & Industrial bij Infineon Technologies. In de sector van de power semiconductors behoort Infineon tot de marktleiders, waar het een technologische voorsprong van ongeveer 15 maanden heeft. Onze intelligente halfgeleiderconcepten en nieuwe families van innovatieve vermogenshalfgeleiders maken het ontwerp van compacte, energiebesparende en dus milieuvriendelijke voedingen mogelijk.

Technische informatie over 500 V CoolMOS power MOSFET's

Infineon heeft nu zijn succesvolle power MOSFET's in CoolMOS C3-technologie uitgebreid met een 500 V-productfamilie. De oppervlaktespecifieke weerstand (RDSon x A) is met een factor 3 kleiner dan die van conventionele MOSFET's, waardoor vermogensverliezen worden verminderd en de efficiëntie van de toepassing wordt verhoogd. Met de nieuwe 500 V MOSFET's van de CoolMOS C3-familie is het mogelijk om geschakelde voedingen verder te miniaturiseren en aanzienlijk meer energie te besparen. Deze gunstige eigenschappen zijn met name handig bij elektronische lampballastbesturingsapparatuur, adapters voor notebookcomputers en LCD-schermen, evenals bij compacte geschakelde voedingen voor servers, pc's en consumentenelektronica. Ter illustratie: in een 120W-adapter voor notebookcomputers zijn de vermogensverliezen van een MOSFET met 500 V-vermogen in standaardtechnologie (de beste in zijn klasse in het TO-220-pakket) 5,4 watt. Met de nieuwe 500 V CoolMOS C3 (ook de beste in zijn soort in het TO-220-pakket) kunnen de totale vermogensverliezen van de MOSFET met 45 procent tot 3 Watt worden verminderd. Als gevolg hiervan kan de efficiëntie van de notebookadapter met 2 procent worden verbeterd, bijvoorbeeld van 90 procent tot 92 procent.

Technische informatie over de F3 geschakelde voeding van de stroomvoorziening IC-familie

Met de F3-familie presenteert Infineon wat de derde generatie van IC's met vaste frequentie-geschakelde voeding is. De F3-familie biedt een breed spectrum aan extra bescherming en energiebesparende functies zoals 'Actief ?? burst-modus, een geïntegreerde startstroombron, een beveiligingsschakeling voor kortstondige overbelastingen, zoals bijvoorbeeld die ondervonden met videorecorders of dvd-spelers als gevolg van het opstarten van de interne motoren, naast een uitgebreid concept voor foutbescherming. Vanwege de 'Active ?? burst-modus en de geïntegreerde startstroombron, wordt het stroomverbruik in de standby-modus verlaagd naar 100 mW, afhankelijk van de toepassing.

De producten van de F3-familie zijn bij uitstek geschikt voor gebruik in toepassingen die compacte, lichte en kostenefficiënte voedingen vereisen die geoptimaliseerde efficiëntie bieden in combinatie met hoge betrouwbaarheid. Deze toepassingen omvatten LCD-monitoren, adapters voor printers en notebooks, dvd-spelers en set-top boxes, naast industriële extra voedingen.

Het gebruik van F3-producten vermindert de ontwikkelingstijd voor voedingen, die moeten voldoen aan de nieuwe EU-richtlijnen voor elektronische apparaten met betrekking tot een lager stroomverbruik in de standby-modus.

Snelle, ruimtebesparende IGBT's

De nieuwe HighSpeed2 IGBT's van Infineon vormen een goedkoop alternatief voor hoogspannings-MOSFET's (1.000 V of hoger). De nieuwe IGBT's worden ondergebracht in bijzonder ruimtebesparende pakketten (DPak), wat resulteert in kostenvoordelen van ongeveer 15 procent op systeemniveau. Door de HighSpeed2 IGBT's in geschakelde voedingen te gebruiken, is het mogelijk om de efficiëntie ten opzichte van lineaire / passieve voedingen met maximaal 30 procent te verhogen. De nieuwe IGBT's zijn bij uitstek geschikt voor gebruik in elektronische lampballast, compacte geschakelde voedingen voor industriële en consumentenapplicaties en voor lijnafbuigcircuits in CRT-monitoren.

Beschikbaarheid en prijzen

De drie nieuwe productfamilies 500 V CoolMOS C3, F3-controller en HighSpeed2 IGBT zijn verkrijgbaar in grote volumes.
De prijs voor de F3-controllerproducten is ongeveer Euro 0,57 voor hoeveelheden van tienduizend. Voor hoeveelheden van 50.000, is de eenheidsprijs voor de HighSpeed2 IGBT met 1.200 V, 1A, DPAK (vergelijkbaar met een 1.000V MOSFET, 2 Ohm) lager dan 0.40 Euro. De 500 V CoolMOS C3 bijvoorbeeld voor een 0,28 Ohm-module in het TO-220-pakket is minder dan 1 euro voor hoeveelheden van 50.000.

Infineon presenteert zijn nieuwe vermogenshalfgeleiders op de 'PCIM 2003 ?? show (20-22 mei 2003, Neurenberg, Duitsland) in hal 12 op stand 501.

Meer informatie over de vermogenshalfgeleiders van Infineon is beschikbaar op
www.infineon.com/igbt www.infineon.com/pwm
www.infineon.com/coolmos www.infineon.com/power