Infineon helpt 'Power Down'-elektrische verlichting - nieuwe Power Semiconductor-technologie om de k

Munchen, Duitsland ?? 20 oktober 2003 ?? Infineon Technologies (FSE, NYSE: IFX) heeft vandaag een nieuw lid van zijn IGBT aangekondigd (Insulated Gate Bipolaire transistor) productfamilie. De nieuwe LightMOS ?? IGBT's bieden een kostenoptimaal alternatief voor MOSFET's (metaal-oxide halfgeleider veldeffecttransistors) die gewoonlijk worden gebruikt in Elektronische lamp-voorschakelapparaten (ELB) voor fluorescentielampen, waardoor een 1-op-1 vervanging mogelijk is met een ongeveer 15 procent lagere prijs met dezelfde functionaliteit. In vergelijking met conventionele magnetische voorschakelapparaten kan het gebruik van de ELB's het energieverbruik van verlichtingssystemen jaarlijks met maximaal 25 procent verminderen. Dit heeft het potentieel om het wereldwijde energieverbruik voor kunstverlichting aanzienlijk te verminderen.

Infineon presenteert zijn nieuwe vermogenshalfgeleiders in stand # 822 op de PowerSystems World 2003-beurs 4 - 7 november 2003 in Long Beach, Californië.

De LightMOS IGBT's, die bedoeld zijn voor gebruik in ballastomvormers als een 600 V-blokkeerschakelaar en die zijn geoptimaliseerd voor schakelfrequenties tussen 40 en 60 kHz, zijn nu beschikbaar.

LightMOS IGBT's, die als eerste in de industrie krachtige monolithisch geïntegreerde reverse diodes hebben, vertonen de lage vermogensverliezen van een MOSFET en de lage temperatuurafhankelijkheid van een IGBT. Dit maakt lampballastontwerp eenvoudiger, sneller en kosteneffectiever. Verbeterde betrouwbaarheid wordt bereikt vanwege het kenmerkende gedrag van de IGBT-temperatuur, dat minder risico van thermische uitdoving met zich meebrengt, wat een kritische overweging is bij MOSFET's. Bovendien combineren de LightMOS IGBT's de FieldStop-technologie van Infineon met een Trench-cel (TrenchStop-technologie) voor de laagste geleidings- en schakelverliezen en kunnen ze veel dichter bij de specificatiegrenswaarden worden toegepast.

De voordelen van de TrenchStop-technologie omvatten een uitzonderlijk robuustheid en kortsluitvastheid, verhoogde betrouwbaarheid en lage elektromagnetische interferentie (EMI). De FieldStop-structuur binnen de vermogensapparaten zorgt voor een aanzienlijke vermindering van de staartstroom die optreedt tijdens het uitschakelen van de uitschakeling, en de sleufcel beperkt geleidingsverliezen tot een minimum vanwege extreem lage verzadigingsspanning. Hierdoor wordt aanzienlijk minder warmte gegenereerd.

De nieuwe LightMOS IGBT's zijn verkrijgbaar in ruimtebesparende DPak en D ²Verpak pakketten, resulterend in kostenvoordelen van ongeveer 15 procent op apparaatniveau. LightMOS-apparaten in DPak-pakketten kunnen 1,5 tot 3 ohm MOSFET's vervangen. LightMOS-producten zijn ook beschikbaar in TO-220 en TO-220 Fullpack-pakketten en kunnen 1 Ohm MOSFET's vervangen wanneer geschikte koeling wordt toegepast.

Beschikbaarheid en prijzen

De nieuwe LightMOS IGBT's zijn nu beschikbaar in samplehoeveelheden, waarvan de beschikbaarheid voor het volume gepland is medio november 2003. In hoeveelheden van 50.000 eenheden is de prijs per eenheid lager dan US $ 0,27 (lager dan € 0,25) met een 600 V, 3 A, DPak-pakket .

Meer informatie over de IGBT-producten van Infineon is beschikbaar op: www.infineon.com/lightmos