- Nederland
-
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoa日本語SesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
E-mail:Info@YIC-Electronics.com
IBM, Infineon gaat revolutionaire geheugentechnologie vooruit
Joint News Release van IBM en Infineon
East Fishkill, NY, en München, Duitsland - 7 december 2000 - IBM en Infineon Technologies AG (FSE / NYSE: IFX) hebben vandaag plannen aangekondigd om gezamenlijk een baanbrekende geheugentechnologie te ontwikkelen die de levensduur van batterijen van draagbare computerapparatuur aanzienlijk zou kunnen verlengen. leiden tot "instant-on" -computers.
De twee bedrijven hebben een overeenkomst getekend om samen te werken bij de ontwikkeling van Magnetic Random Access Memory (MRAM), die magnetische, in plaats van elektronische, kosten gebruikt om stukjes data op te slaan. MRAM kan elektronische producten aanzienlijk verbeteren - van computers tot mobiele telefoons tot gamesystemen - door meer informatie op te slaan, deze sneller te gebruiken en minder batterijvermogen te gebruiken dan het elektronische geheugen dat tegenwoordig wordt gebruikt. MRAM bewaart ook informatie wanneer de stroom is uitgeschakeld, wat betekent dat producten zoals pc's direct kunnen opstarten zonder te hoeven wachten totdat de software wordt opgestart. ??
IBM Research was een pionier in de ontwikkeling van een miniatuurcomponent genaamd de "magnetische tunnelovergang". al in 1974, uiteindelijk het aanpassen van het als een middel om informatie op te slaan en een echte werkende MRAM-chip in 1998 te bouwen. Met behulp van deze IBM-technologie, in combinatie met Infineon's aanzienlijke expertise in het creëren van zeer hoge dichtheid halfgeleidergeheugen, geloven de bedrijven MRAM-producten zouden vanaf 2004 in de handel verkrijgbaar kunnen zijn.
"MRAM heeft het potentieel om hedendaagse geheugentechnologieën te vervangen in elektronische producten van de toekomst", aldus Bijan Davari, IBM Fellow en vicepresident Technology and Emerging Products, IBM Microelectronics. "De aankondiging van vandaag betekent een grote stap voorwaarts voor MRAM, waardoor de technologie snel uit de pure onderzoeksfase naar de productontwikkeling wordt verplaatst.
IBM en Infineon hebben meer dan 10 jaar ervaring met het samen ontwikkelen van nieuwe chiptechnologieën, waaronder traditionele Dynamic RAM (DRAM), logica en embedded-DRAM-technologieën.
"Infineon en IBM combineren hun technologische mogelijkheden en middelen om MRAM-technologie op een snelle manier tot wasdom te brengen," zei Wilhelm Beinvogl, Senior Vice President van Technologies and Innovations, Memory Products, Infineon Technologies. "Ons bewezen trackrecord in de gezamenlijke ontwikkeling van geavanceerde geheugen- en logische technologieën wordt dus verder uitgebreid door een zeer opwindend en nieuw soort technologie.Voor Infineon biedt MRAM-technologie even interessante mogelijkheden voor zowel embedded logic-producten als stand-alone geheugenchiptoepassingen.
MRAM combineert de beste eigenschappen van de huidige halfgeleider geheugentechnologieën van vandaag - de hoge snelheid van statische RAM (SRAM), de opslagcapaciteit en lage kosten van DRAM en de niet-vluchtigheid van Flash-geheugen.
Deze niet-volatiliteit heeft belangrijke implicaties, met name voor opkomende pervasieve computerapparatuur. Geheugentechnologieën zoals DRAM en SRAM vereisen constant elektrisch vermogen om opgeslagen gegevens te behouden; wanneer de stroom wordt onderbroken, gaan alle gegevens in het geheugen verloren. Een laptopcomputer bijvoorbeeld, werkt vanuit een kopie van de software die in het geheugen is opgeslagen. Wanneer ingeschakeld, wordt een werkende versie van de software gekopieerd van de harde schijf naar het geheugen zodat de gebruiker er snel toegang toe heeft. Wanneer de stroom wordt uitgezet en weer ingeschakeld, moet het proces opnieuw beginnen. Door MRAM te gebruiken, zou de laptop meer kunnen werken zoals andere elektronische apparaten zoals een televisie of radio - zet de stroom aan en de machine springt tot leven.
Niet-volatiliteit kan ook energie besparen. Aangezien MRAM geen constant vermogen nodig heeft om de gegevens intact te houden, zou het veel minder kunnen verbruiken dan de huidige technologieën voor willekeurige toegang tot geheugen, waardoor de levensduur van de batterij van mobiele telefoons, draagbare apparaten, laptops en andere door batterijen gevoede producten wordt verlengd.
Een gecombineerd personeelsbestand van ongeveer 80 IBM- en Infineon-engineers en -wetenschappers zal helpen bij het project. Ontwikkelingswerk zal worden uitgevoerd in het IBM J. Watson Research Center in Yorktown Heights, NY, IBM's Almaden Research Centre in San Jose, Californië, en het IBM Microelectronics Semiconductor Research & Development Center (SRDC) in East Fishkill, NY., Met extra ontwerp- en testactiviteit bij IBM's vestiging in Burlington, VT.
IBM Microelectronics levert een belangrijke bijdrage aan de rol van IBM als 's werelds toonaangevende leverancier van informatietechnologie. IBM Microelectronics ontwikkelt, produceert en verkoopt state-of-the-art halfgeleidende technologieën, producten, verpakkingen en diensten. De superieure geïntegreerde oplossingen zijn te vinden in veel van 's werelds bekendste elektronische merken. Meer informatie over IBM Microelectronics is te vinden op http://www.chips.ibm.com. IBM Research is 's werelds grootste informatietechnologie-onderzoeksorganisatie, met meer dan 3000 wetenschappers en ingenieurs in acht laboratoria in zes landen. IBM heeft meer doorbraken in onderzoek geproduceerd dan welk ander bedrijf in de IT-industrie ook. IBM's vroege werk met MRAM werd uitgevoerd in samenwerking met het US Defense Advanced Research Agency (DARPA). Ga naar voor meer informatie over IBM Research www.research.ibm.com.
East Fishkill, NY, en München, Duitsland - 7 december 2000 - IBM en Infineon Technologies AG (FSE / NYSE: IFX) hebben vandaag plannen aangekondigd om gezamenlijk een baanbrekende geheugentechnologie te ontwikkelen die de levensduur van batterijen van draagbare computerapparatuur aanzienlijk zou kunnen verlengen. leiden tot "instant-on" -computers.
De twee bedrijven hebben een overeenkomst getekend om samen te werken bij de ontwikkeling van Magnetic Random Access Memory (MRAM), die magnetische, in plaats van elektronische, kosten gebruikt om stukjes data op te slaan. MRAM kan elektronische producten aanzienlijk verbeteren - van computers tot mobiele telefoons tot gamesystemen - door meer informatie op te slaan, deze sneller te gebruiken en minder batterijvermogen te gebruiken dan het elektronische geheugen dat tegenwoordig wordt gebruikt. MRAM bewaart ook informatie wanneer de stroom is uitgeschakeld, wat betekent dat producten zoals pc's direct kunnen opstarten zonder te hoeven wachten totdat de software wordt opgestart. ??
IBM Research was een pionier in de ontwikkeling van een miniatuurcomponent genaamd de "magnetische tunnelovergang". al in 1974, uiteindelijk het aanpassen van het als een middel om informatie op te slaan en een echte werkende MRAM-chip in 1998 te bouwen. Met behulp van deze IBM-technologie, in combinatie met Infineon's aanzienlijke expertise in het creëren van zeer hoge dichtheid halfgeleidergeheugen, geloven de bedrijven MRAM-producten zouden vanaf 2004 in de handel verkrijgbaar kunnen zijn.
"MRAM heeft het potentieel om hedendaagse geheugentechnologieën te vervangen in elektronische producten van de toekomst", aldus Bijan Davari, IBM Fellow en vicepresident Technology and Emerging Products, IBM Microelectronics. "De aankondiging van vandaag betekent een grote stap voorwaarts voor MRAM, waardoor de technologie snel uit de pure onderzoeksfase naar de productontwikkeling wordt verplaatst.
IBM en Infineon hebben meer dan 10 jaar ervaring met het samen ontwikkelen van nieuwe chiptechnologieën, waaronder traditionele Dynamic RAM (DRAM), logica en embedded-DRAM-technologieën.
"Infineon en IBM combineren hun technologische mogelijkheden en middelen om MRAM-technologie op een snelle manier tot wasdom te brengen," zei Wilhelm Beinvogl, Senior Vice President van Technologies and Innovations, Memory Products, Infineon Technologies. "Ons bewezen trackrecord in de gezamenlijke ontwikkeling van geavanceerde geheugen- en logische technologieën wordt dus verder uitgebreid door een zeer opwindend en nieuw soort technologie.Voor Infineon biedt MRAM-technologie even interessante mogelijkheden voor zowel embedded logic-producten als stand-alone geheugenchiptoepassingen.
MRAM combineert de beste eigenschappen van de huidige halfgeleider geheugentechnologieën van vandaag - de hoge snelheid van statische RAM (SRAM), de opslagcapaciteit en lage kosten van DRAM en de niet-vluchtigheid van Flash-geheugen.
Deze niet-volatiliteit heeft belangrijke implicaties, met name voor opkomende pervasieve computerapparatuur. Geheugentechnologieën zoals DRAM en SRAM vereisen constant elektrisch vermogen om opgeslagen gegevens te behouden; wanneer de stroom wordt onderbroken, gaan alle gegevens in het geheugen verloren. Een laptopcomputer bijvoorbeeld, werkt vanuit een kopie van de software die in het geheugen is opgeslagen. Wanneer ingeschakeld, wordt een werkende versie van de software gekopieerd van de harde schijf naar het geheugen zodat de gebruiker er snel toegang toe heeft. Wanneer de stroom wordt uitgezet en weer ingeschakeld, moet het proces opnieuw beginnen. Door MRAM te gebruiken, zou de laptop meer kunnen werken zoals andere elektronische apparaten zoals een televisie of radio - zet de stroom aan en de machine springt tot leven.
Niet-volatiliteit kan ook energie besparen. Aangezien MRAM geen constant vermogen nodig heeft om de gegevens intact te houden, zou het veel minder kunnen verbruiken dan de huidige technologieën voor willekeurige toegang tot geheugen, waardoor de levensduur van de batterij van mobiele telefoons, draagbare apparaten, laptops en andere door batterijen gevoede producten wordt verlengd.
Een gecombineerd personeelsbestand van ongeveer 80 IBM- en Infineon-engineers en -wetenschappers zal helpen bij het project. Ontwikkelingswerk zal worden uitgevoerd in het IBM J. Watson Research Center in Yorktown Heights, NY, IBM's Almaden Research Centre in San Jose, Californië, en het IBM Microelectronics Semiconductor Research & Development Center (SRDC) in East Fishkill, NY., Met extra ontwerp- en testactiviteit bij IBM's vestiging in Burlington, VT.
Over IBM Microelectronics & Research Divisions
IBM Microelectronics levert een belangrijke bijdrage aan de rol van IBM als 's werelds toonaangevende leverancier van informatietechnologie. IBM Microelectronics ontwikkelt, produceert en verkoopt state-of-the-art halfgeleidende technologieën, producten, verpakkingen en diensten. De superieure geïntegreerde oplossingen zijn te vinden in veel van 's werelds bekendste elektronische merken. Meer informatie over IBM Microelectronics is te vinden op http://www.chips.ibm.com. IBM Research is 's werelds grootste informatietechnologie-onderzoeksorganisatie, met meer dan 3000 wetenschappers en ingenieurs in acht laboratoria in zes landen. IBM heeft meer doorbraken in onderzoek geproduceerd dan welk ander bedrijf in de IT-industrie ook. IBM's vroege werk met MRAM werd uitgevoerd in samenwerking met het US Defense Advanced Research Agency (DARPA). Ga naar voor meer informatie over IBM Research www.research.ibm.com.