Hello Guest

Sign In / Register

Welcome,{$name}!

/ Uitloggen
Nederland
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Huis > Nieuws > IBM, Infineon ontwikkelt meest geavanceerde MRAM-technologie tot nu toe - Ontwikkel revolutionaire o

IBM, Infineon ontwikkelt meest geavanceerde MRAM-technologie tot nu toe - Ontwikkel revolutionaire o

Gezamenlijk persbericht van Infineon Technologies en IBM



Kyoto, Japan (VLSI Symposia), 10 juni 2003 - IBM en Infineon Technologies AG (FSE / NYSE: IFX) hebben vandaag aangekondigd dat ze de meest geavanceerde Magnetic Random Access Memory (MRAM) -technologie hebben ontwikkeld tot nu toe door magnetische geheugencomponenten te integreren in een krachtige logicabasis.

De aankondiging van vandaag kan de commercialisering van MRAM versnellen, een baanbrekende geheugentechnologie met het potentieel om al in 2005 een aantal van de huidige geheugentechnologieën te vervangen. MRAM zou kunnen leiden tot "instant on ?? computers, waardoor gebruikers zo snel als een lichtschakelaar computers kunnen in- en uitschakelen.

Op de VLSI-symposia die hier deze week plaatsvinden, presenteren IBM en Infineon hun supersnelle 128-MB MRAM-core. Het is vervaardigd met een op logica gebaseerde procestechnologie van 0,18 micron, de kleinste tot nu toe gerapporteerde grootte voor MRAM-technologie. Deze kleine basis stelde IBM en Infineon in staat om de kleinste MRAM-geheugencelgrootte van 1,4 vierkante micron in te bouwen, wat ongeveer 20 miljoen keer kleiner is dan de gemiddelde potloodgumtop. Door de magnetische structuren in deze kleine cel nauwkeurig te structureren, konden IBM- en Infineon-onderzoekers de geheugenlees- en schrijfbewerkingen besturen.

Een geheugentechnologie die magnetische, in plaats van elektronische, kosten gebruikt voor het opslaan van stukjes gegevens, MRAM kan draagbare computerproducten aanzienlijk verbeteren door meer informatie op te slaan, deze sneller te gebruiken en minder batterijvermogen te gebruiken dan het elektronische geheugen dat tegenwoordig wordt gebruikt. MRAM combineert de beste kenmerken van de hedendaagse geheugentechnologieën van vandaag: de opslagcapaciteit en lage kosten van dynamische RAM (DRAM), de hoge snelheid van statische RAM (SRAM) en de niet-vluchtigheid van flash-geheugen. Omdat MRAM informatie behoudt wanneer de stroom wordt uitgezet, kunnen producten zoals pc's die het gebruiken onmiddellijk opstarten, zonder te wachten totdat de software "opstart".

Het MRAM-werk van IBM vormt een aanvulling op zijn baanbrekende en voortdurende ontwikkeling van geavanceerd ingebouwd DRAM-geheugen, dat tegenwoordig commercieel verkrijgbaar is en voordelen biedt ten opzichte van traditionele SRAM.

"MRAM heeft het potentieel om de universele geheugentechnologie van de toekomst te worden, ?? zei dr. T.C. Chen, VP Science and Technology, IBM Research. "Deze doorbraak toont aan dat MRAM-technologie snel volwassen wordt en de hele geheugenmarkt in de komende jaren fundamenteel zou kunnen veranderen.

"Niet-vluchtige geheugentechnologieën zoals MRAM zullen een grote rol spelen in oplossingen voor technologische levensstijl en we willen de nummer één zijn op het gebied van halfgeleiders op dit gebied door een productdemonstrator te hebben die begin 2004 gezamenlijk met IBM is ontwikkeld. Samen met Altis Semiconductor, een joint venture van IBM en Infineon, zullen we al in 2005 de weg effenen voor de productiebereidheid van MRAM, "zei Dr. Wilhelm Beinvogl, CTO van de afdeling Memory Product, Infineon.

Gedetailleerde voordelen van MRAM



Het niet-vluchtigheidskenmerk van MRAM heeft significante implicaties, in het bijzonder voor mobiele computerinrichtingen. Geheugentechnologieën zoals DRAM en SRAM vereisen een constant elektrisch vermogen om opgeslagen gegevens te behouden. Wanneer de stroom is uitgeschakeld, gaan alle gegevens in het geheugen verloren. Een laptopcomputer bijvoorbeeld, werkt vanuit een kopie van de software die in het geheugen is opgeslagen. Wanneer ingeschakeld, wordt een werkende versie van de software gekopieerd van de harde schijf naar het geheugen, zodat de gebruiker er snel toegang toe heeft. Telkens wanneer de stroom wordt uitgezet en weer ingeschakeld, moet het proces opnieuw beginnen. Door MRAM te gebruiken, zou de laptop meer kunnen werken zoals andere elektronische apparaten zoals een televisie of radio: zet de stroom aan en de machine springt bijna onmiddellijk tot leven met instellingen net zoals u ze had achtergelaten.

Niet-volatiliteit kan ook energie besparen. Aangezien MRAM geen constant vermogen nodig heeft om de gegevens intact te houden, zou het veel minder kunnen verbruiken dan de huidige technologieën voor willekeurige toegang tot geheugen, waardoor de levensduur van de batterij van mobiele telefoons, draagbare apparaten, laptops en andere door batterijen gevoede producten wordt verlengd.

Het high-speed attribuut van MRAM betekent dat elektronische producten sneller toegang tot gegevens kunnen krijgen, en MRAM's high-density betekent grotere opslagcapaciteit.

Voor downloadbare MRAM-afbeeldingen en een animatie gaat u naar: http://domino.research.ibm.com/comm/bios.nsf/pages/mramvlsi.html

IBM en Infineon MRAM ontwikkelingen



IBM Research was al in 1974 een pionier in de ontwikkeling van kleine, dunne film magnetische structuren. Aan het eind van de jaren tachtig maakten IBM-wetenschappers een reeks belangrijke ontdekkingen over het 'reusachtige magnetoresistieve' effect in dunne filmstructuren. Dankzij deze ontwikkelingen kon IBM de eerste supergevoelige GMR-lees / schrijfkoppen voor harde schijven maken, wat dramatische toenames in datadichtheid stimuleerde. Door veel van de GMR-materialen te veranderen, konden IBM-wetenschappers de 'magnetische tunnelovergangen' maken die de kern vormen van MRAM.

IBM en Infineon hebben meer dan 10 jaar ervaring met succesvolle gezamenlijke ontwikkeling van nieuwe chiptechnologieën, waaronder traditionele Dynamic RAM (DRAM), logica en embedded-DRAM-technologieën. In november 2000 richtten ze een gezamenlijk MRAM-ontwikkelingsprogramma op. Door IBM-technologie te combineren met de expertise van Infineon bij het creëren van zeer halfgeleidergeheugen met hoge dichtheid, zijn de bedrijven van mening dat MRAM-producten al in 2005 in de handel verkrijgbaar zouden kunnen zijn.

Over IBM Research & Microelectronics Divisions



IBM Research is 's werelds grootste informatietechnologie-onderzoeksorganisatie, met meer dan 3000 wetenschappers en ingenieurs in acht laboratoria in zes landen. IBM heeft meer doorbraken in onderzoek geproduceerd dan welk ander bedrijf in de IT-industrie ook. Het vroege werk van IBM met MRAM is uitgevoerd in samenwerking met het US Defense Advanced Research Agency (DARPA). Ga naar voor meer informatie over IBM Research http://www.research.ibm.com.

IBM Microelectronics levert een belangrijke bijdrage aan de rol van IBM als 's werelds toonaangevende leverancier van informatietechnologie. IBM Microelectronics ontwikkelt, produceert en verkoopt geavanceerde halfgeleider-, ASIC- en interconnectietechnologieën, producten en diensten. De superieure geïntegreerde oplossingen zijn te vinden in veel van 's werelds bekendste elektronische merken.

IBM is een erkende innovator in de chipindustrie en was de eerste met ontwikkelingen zoals meer energiezuinige koperen bedrading in plaats van aluminium, snellere silicium-op-isolator (SOI) en siliciumgermaniumtransistoren, en verbeterde low-k diëlektrische isolatie tussen chip draden. Deze en andere innovaties hebben ertoe bijgedragen dat IBM tien opeenvolgende jaren de nummer één Amerikaanse patenthouder was. Meer informatie over IBM Microelectronics is te vinden op: http://www.ibm.com/chips.

Over Infineon



Infineon Technologies AG, München, Duitsland, biedt oplossingen voor halfgeleiders en systemen voor de auto- en industriële sector, voor toepassingen in de markt voor bedrade communicatie, beveiligde mobiele oplossingen en geheugenproducten. Met een wereldwijde aanwezigheid is Infineon actief in de VS vanuit San Jose, CA, in de regio Azië-Stille Oceaan vanuit Singapore en vanuit Tokyo vanuit Tokio. In het fiscale jaar 2002 (eindigend september) behaalde het bedrijf een omzet van 5,21 miljard euro met ongeveer 30.400 werknemers wereldwijd. Infineon staat genoteerd op de DAX-index van de Frankfurt Stock Exchange en op de New York Stock Exchange (tickersymbool: IFX). Verdere informatie is beschikbaar op http://www.infineon.com