Hello Guest

Sign In / Register

Welcome,{$name}!

/ Uitloggen
Nederland
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
E-mail:Info@YIC-Electronics.com

My Request:0Part
Huis > blog > De nieuwe serie 1350V IGBT -transistoren van STMicroelectronics verbetert de variabiliteit en efficiëntie

De nieuwe serie 1350V IGBT -transistoren van STMicroelectronics verbetert de variabiliteit en efficiëntie

Elke technologische vooruitgang in elektronische componenten is als de dageraad in de ochtend en kondigt de komst van nieuwe applicatievelden aan.De nieuwste release van STMicroelectronics van IGBT-transistors van 1350V-serie is niet alleen een continue optimalisatie van traditionele elektronische technologie, maar ook een sprong-forward innovatie in het toekomstige elektronische veld.

STMicroelectronics 1350V series IGBT transistors
Figuur 1: STMicroelectronics 1350V -serie IGBT -transistors

Laten we, voordat we dit nieuwe product introduceren, begrijpen wat IGBT (geïsoleerde poort bipolaire transistor) is.Een IGBT is een halfgeleiderapparaat dat de hoge ingangsimpedantie van een MOSFET (metaal-oxide-halfgeleider veldeffect transistor) combineert met de lage inzetspanning van een BJT (bipolaire transistor).Vanwege deze functie combineert de IGBT -transistor de voordelen van beide en heeft een betere geleidingskenmerken en hogere spanning die mogelijk zijn in vergelijking met andere halfgeleiderapparaten zoals MOSFET en BJT.

De nieuwste serie IGBT -transistors biedt aanzienlijke vooruitgang.De afbraakspanning is verhoogd tot 1350V, terwijl de maximale bedrijfstemperatuur nu 175 ° C bereikt.Deze verbeteringen zijn niet alleen numeriek;Ze betekenen dat deze transistoren uitzonderlijk goed kunnen presteren in meer veeleisende omgevingen.Breakdown -spanning is een kritieke parameter omdat het de maximale omgekeerde bias -spanning bepaalt die een halfgeleiderapparaat kan aankunnen zonder te worden beschadigd.Met een hogere afbraakspanning kan het apparaat zonder problemen op verhoogde spanningen werken.De toename van de bedrijfstemperatuur is ook opmerkelijk, waardoor IGBT-transistoren stabiel kunnen blijven, zelfs in omgevingen bij hoge temperatuur.Dit wordt met name cruciaal voor toepassingen met extreme warmte -eisen

De machtsconversie -efficiëntie van IGBT -transistors van STPower IH2 -serie heeft ook wijdverbreide aandacht getrokken in de industrie.In het tijdperk van energiebesparing en milieubescherming is energie -efficiëntie cruciaal voor moderne elektronische apparatuur.Een hoogtepunt dat niet kan worden genegeerd, is de lage waarde van zijn verzadigingsspanning VCE (SAT), die ervoor zorgt dat het stroomverbruik van het apparaat in de on-state wordt geminimaliseerd, waardoor een sterke steun wordt voor de stabiele werking van het systeem.

STMicroelectronics 1350V series IGBT transistors
Figuur 2: STMicroelectronics 1350V -serie IGBT -transistors

De veelzijdigheid van deze nieuwe IGBT -transistor maakt het van toepassing in verschillende instellingen.Het kan niet alleen worden gebruikt in hoogwaardige industriële elektromagnetische verwarmingsapparatuur zoals hernieuwbare energiesystemen, laadstations voor elektrische voertuigen en grote machines, maar het is ook goed geschikt voor dagelijkse huishoudelijke apparaten zoals keukenkachels, magnetron met variabele frequenties,en rijstkokers.Dit is mogelijk omdat de IGBT -transistor effectief controleert dat substantiële elektrische stromen, het verbeteren van de efficiëntie en betrouwbaarheid van elektromagnetische verwarmingsapparaten, terwijl het stroomverbruik in huishoudelijke apparaten wordt verminderd.Apparaten met behulp van IGBT -transistortechnologie kunnen het stroomverbruik tot 11% verminderen in vergelijking met traditionele methoden.

Het positieve temperatuurcoëfficiënteffect van VCE (SAT) in IGBT -transistors zorgt ervoor dat naarmate de temperatuur toeneemt, de verzadigingsspanning VCE (SAT) ook toeneemt.Dit effect verbetert de vermogensverdeling tussen meerdere parallelle IGBT -transistoren, wat leidt tot verbeterde systeembetrouwbaarheid.Samenvattend, wanneer de temperatuur stijgt, wordt de stabiliteit van parallelle IGBT -transistorbewerking verbeterd.Hoewel dit technische detail klein kan lijken, speelt het een cruciale rol bij het waarborgen van de gestage werking van apparatuur.

De eerste twee apparaten in deze serie, namelijk de 25A STGWA25IH135DF2 en 35A STGWA35IH135DF2, maken gebruik van het TO-247 Long-Lead Power-pakket, dat superieure warmtedissipatie, verbeterde mechanische sterkte en verbeterde elektrische prestaties biedt in vergelijking met andere pakketvormen.

De technologische innovatie van STMicroelectronics breidt niet alleen de beschikbare keuzes voor elektronische ingenieurs uit, maar luidt ook tal van mogelijkheden op in de toekomstige markt voor elektronische componenten.Deze voortdurende innovatie en vooruitgang dient als de drijvende kracht voor de ontwikkeling van elektronische technologie en bevordert de algehele maatschappelijke vooruitgang.Deze technologische innovatie heeft ongetwijfeld een nieuwe mijlpaal in de elektronische componentenindustrie.Als elektronische ingenieurs of industriële waarnemers, zijn we klaar om deze transformerende verandering te omarmen?De technologische innovatie van STMicroelectronics biedt ons niet alleen meer keuzes, maar toont ook het grenzeloze potentieel van de toekomstige markt voor elektronische componenten.

Gerelateerde blog

Hete delen

gerelateerde -producten